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  • 型号: BSC025N03LS G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC025N03LS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC025N03LS G价格参考。InfineonBSC025N03LS G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC025N03LS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC025N03LS G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET 30V 100A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC025N03LS GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/cms/en/services/download.html?filename=%2Fdgdl%2FBSC025N03LS_rev1.2.pdf%3FfolderId%3Ddb3a304412b407950112b408e8c90004%26fileId%3Ddb3a304412b407950112b4274ff53bff&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_BSC025N03LS_rev1

产品型号

BSC025N03LS G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

6.2 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6100pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5 毫欧 @ 30A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC025N03LSGINDKR

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

83W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Ta), 100A (Tc)

系列

BSC025N03

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC025N03LSGATMA1 SP000269781

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